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蘆洲samsung維修/三星新快閃記憶體技術 提昇手機儲存容量

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2015-08-13


三星新快閃記憶體技術 提昇手機儲存容量

2015-08-11 11:38:46

三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組,藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提昇。同時,藉由新技術投入將可提昇約40%產能,並且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組,預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實際市售產品。蘆洲samsung維修

 

 


 

根據三星公布消息,確定將在今年下半年內投入第三代V-NAND技術,藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組,進而提昇手機儲存元件與PC用SSD相同體積的資料存放容量,其中後者將能加速全面邁入TB等級規格,同時於預期手機基本儲存容量也能進一步提昇。

 

以新技術打造的48層、3-bit MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體,將可在儲存相同資料量時節省約30%耗電,同時相比先前32層、3-bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體規格,約可提昇40%產能表現,預期將可進一步降低快閃記憶體市場售價,並且讓SSD產品價格更趨於親民化,預期也將可讓入門款智慧手機儲存容量擴大。蘆洲samsung維修